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日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

2024-04-05 12:12    來源: 云財經(jīng)    影響力評估指數(shù):20.07  
云財經(jīng)訊,日本一研究團(tuán)隊成功研制出一種半導(dǎo)體納米通道器件,當(dāng)施加磁場時,其電阻值可以發(fā)生高達(dá)250倍的變化。這一發(fā)現(xiàn)可能為新型電子元器件的開發(fā)帶來重要啟示。相關(guān)研究成果已在國際學(xué)術(shù)期刊《先進(jìn)材料》上發(fā)表。
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