近日,英諾賽科(02577.HK)發(fā)布公告,公司已獲選擇即將被納入恒生綜合指數(shù)的成份股,并于2025年3月10日起生效。此次入選恒生綜合指數(shù)的成份股,標志著英諾賽科在全球半導體行業(yè)的領先地位得到了資本市場的高度認可。此外,公司股票在獲納入恒生綜合指數(shù)成份股后,預計將符合滬港通及深港通交易的納入標準。

英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司,也是全球唯一具備產業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司,上市至今,公司憑借全球領先的市場地位和產能優(yōu)勢,收獲了資本的廣泛關注。

恒生綜合指數(shù)作為衡量港股市場表現(xiàn)的重要指標之一,其成份股的選取標準極為嚴格。英諾賽科的入選,意味著其在市值、流動性、財務表現(xiàn)以及行業(yè)影響力等方面均達到了較高的水平。

納入指數(shù)后,英諾賽科將吸引更多被動型基金和機構投資者的關注。這些投資者通常會根據指數(shù)成份股配置資產,因此英諾賽科有望獲得更多的資金流入,從而進一步提升其在二級市場的流動性和估值水平。

隨著全球數(shù)據流量的爆炸式增長,數(shù)據中心的能耗問題變得愈發(fā)突出。氮化鎵功率器件因其低熱生成率和高功率密度,在優(yōu)化數(shù)據中心能效方面發(fā)揮著至關重要的作用。相較傳統(tǒng)硅基器件,基于GaN的電源設備能夠顯著降低開關損耗,提升轉換效率,同時實現(xiàn)更小的器件尺寸。

根據行業(yè)標準,服務器機架電源需要滿足更加嚴格的能效要求。開放計算項目(OCP)提出的M-CRPS標準要求電源尺寸縮小30%,而GaN技術完全能夠滿足這一需求。隨著行業(yè)巨頭率先采用GaN電源,推動數(shù)據中心向更高效、更節(jié)能的方向邁進。通過降低電源損耗和冷卻系統(tǒng)能耗,GaN技術為數(shù)據中心運營成本的下降和可持續(xù)發(fā)展目標的實現(xiàn)提供了強有力支持。

在新能源汽車領域,氮化鎵同樣扮演著重要角色。隨著電動車對更高功率和更高能效的需求不斷增長,GaN功率器件憑借其高開關速度和低損耗特性,為電動汽車中的逆變器和DC-DC轉換器提供了理想解決方案。

當前市場上的許多高性能新能源汽車已經開始采用基于GaN的晶體管和二極管。例如,800V高壓平臺設計中的多級GaN解決方案已經取得顯著進展,這將進一步推動氮化鎵技術在電動汽車中的普及。相比之下,競爭技術如碳化硅(SiC)因材料短缺和成本問題面臨挑戰(zhàn),進一步凸顯了GaN的市場競爭力。

英諾賽科作為全球氮化鎵技術的佼佼者,自2017年成立以來,已快速占據氮化鎵市場絕對份額。以折算氮化鎵分立器件出貨量計,英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市場份額排名第一,2023年市占率高達42.4%。

截至2024年6月30日,英諾賽科已擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地,產能達到每月12500片晶圓。作為全球首家實現(xiàn)量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè),英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵晶圓量產技術能夠使每晶圓的晶粒產出數(shù)提升80%,單顆芯片成本降低30%。

展望未來,英諾賽科有望憑借在氮化鎵領域的深厚積累,在新能源汽車、數(shù)據中心能效優(yōu)化等多個領域繼續(xù)發(fā)揮引領作用,不斷開創(chuàng)更加輝煌的業(yè)績,為投資者創(chuàng)造更大的價值,同時也為全球半導體行業(yè)的發(fā)展貢獻更多力量。