貝爾金推出行業(yè)首款ZSP氮化鎵充電器,重新定義快充能效新標(biāo)準(zhǔn)
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上海2025年8月27日 /美通社/ -- 全球消費(fèi)電子領(lǐng)導(dǎo)品牌貝爾金(Belkin)今日宣布正式發(fā)布其首款搭載ZSP(Zero-Standby Power,零待機(jī)功耗)技術(shù)的GaN充電器——Z-Charger。這款創(chuàng)新產(chǎn)品標(biāo)志著快充技術(shù)邁入超低待機(jī)功耗新時代。
貝爾金Z-Charger融合了創(chuàng)新的ZSP芯片與先進(jìn)的D-mode GaN*(氮化鎵)技術(shù),在實(shí)現(xiàn)高功率快充和小巧體積的同時,將待機(jī)功耗壓縮至毫瓦級(低于0.005W),遠(yuǎn)低于行業(yè)平均水平。與傳統(tǒng)充電器相比,Z-Charger通過智能檢測系統(tǒng),在充電閑置狀態(tài)下可將功耗降至5mW以下,有效解決長期存在的待機(jī)能耗問題,重新定義了消費(fèi)者對節(jié)能的期待。
插著電,也能省電 —— 每年節(jié)省高達(dá)95%的能耗
Z-Charger的核心優(yōu)勢在于智能休眠模式。傳統(tǒng)非ZSP充電器即使沒有連接設(shè)備,也會持續(xù)處于待機(jī)工作狀態(tài),導(dǎo)致持續(xù)耗電。而貝爾金Z-Charger通過硬件級智能檢測系統(tǒng),在閑置時將功耗降至近乎為零(低于0.005W)。
數(shù)據(jù)顯示,普通充電器每年待機(jī)耗電約0.876度,而Z-Charger僅為0.0438度,減少了95%的能耗。若上海2500萬居民(假設(shè)人均5個充電器)都使用Z-Charger,全市每年可節(jié)省超1億度電,相當(dāng)于節(jié)省電費(fèi)約6,240萬元人民幣、滿足32萬戶家庭一個月的用電量,并減少2.5萬噸碳排放,相當(dāng)于植樹約140萬棵。**
安全保障再升級 —— ZSP技術(shù)有效降低潛在風(fēng)險
除了能耗浪費(fèi),非ZSP充電器還存在安全風(fēng)險。即使拔掉設(shè)備,傳統(tǒng)充電器仍會持續(xù)釋放微小電流。若電流接觸到易燃物、金屬物件,或在極度干燥環(huán)境中,可能導(dǎo)致短路,增加安全隱患。
搭載ZSP技術(shù)的Z-Charger,通過智能檢測在閑置狀態(tài)下將功耗降至5mW以下,消除不必要的電流流動,大幅降低電氣事故風(fēng)險,帶來更安全的日常充電體驗(yàn)。
全球半導(dǎo)體巨頭助力 —— 性能與環(huán)保并行
ZSP技術(shù)由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者瑞薩電子(Renesas Electronics)提供支持。作為擁有60余年電源管理與能效經(jīng)驗(yàn)的企業(yè),瑞薩長期為索尼、松下、東芝等全球知名品牌供應(yīng)核心元件。此次與貝爾金合作,確保了Z-Charger不僅具備卓越性能,同時在環(huán)保節(jié)能上也達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
憑借先進(jìn)的D-mode GaN技術(shù),Z-Charger擁有出色的散熱表現(xiàn),即使長時間使用也能保持低溫;并突破了傳統(tǒng)元件堆疊的限制,實(shí)現(xiàn)輕量化與小型化設(shè)計,非常適合移動使用場景。
兩款新品已上市 —— 滿足多種充電需求
BoostCharge Pro 雙USB-C GaN充電頭 50W
型號:WCH019
- 雙USB-C接口
- 單口最高50W輸出;雙口25W + 25W輸出
- 支持PD3.1與PPS協(xié)議
- 零待機(jī)功耗(<5mW)
- 顏色:白色
BoostCharge Pro 雙USB-C GaN充電頭 67W
型號:WCH020
- 雙USB-C PD接口
- 單口最高67W輸出;雙口45W + 20W輸出
- 支持PD3.1與PPS協(xié)議
- 零待機(jī)功耗(<5mW)
- 顏色:白色
兩款產(chǎn)品均已通過3C認(rèn)證及多項(xiàng)安全測試,兼容智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等多種設(shè)備,適用于旅行、辦公及日常使用場景。
更智能、更環(huán)保的快充 —— 盡在貝爾金
貝爾金始終致力于推動科技與可持續(xù)發(fā)展的融合。隨著Z-Charger的發(fā)布,貝爾金再次彰顯其在快充創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,并通過切實(shí)行動減少能源浪費(fèi),倡導(dǎo)更加綠色、節(jié)能的生活方式。
* D-Mode GaN 是一種氮化鎵(GaN)晶體管,具備低電阻和高能效的特點(diǎn)。
** 上述數(shù)據(jù)基于上海居民用電電價與人口統(tǒng)計數(shù)據(jù)計算。我們對比了ZSP充電器(0.0438kWh)與傳統(tǒng)充電器(0.876kWh)的年待機(jī)功耗差異,得出了該節(jié)能估算結(jié)果。
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