- 助力人工智能數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效化與小型化的關(guān)鍵技術(shù)

- 專屬氮化鎵多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目計(jì)劃于10月底推出

- 將BCD工藝技術(shù)優(yōu)勢拓展至氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域

韓國首爾2025年9月11日 /美通社/ -- 全球領(lǐng)先的8英寸特色晶圓代工廠DB HiTek今日宣布，其下一代功率半導(dǎo)體平臺(tái) -- 650V增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)工藝開發(fā)已進(jìn)入最終階段。該公司還將于10月底推出專屬氮化鎵多項(xiàng)目晶圓(MPW)項(xiàng)目。

與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，氮化鎵半導(dǎo)體在高壓、高頻及高溫工作環(huán)境下具備卓越性能，功率效率出眾。特別是650V增強(qiáng)型氮化鎵HEMT，憑借其高速開關(guān)性能與穩(wěn)健的運(yùn)行穩(wěn)定性，成為電動(dòng)汽車充電設(shè)施、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及先進(jìn)5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的理想選擇。

早在2022年化合物半導(dǎo)體市場初現(xiàn)雛形時(shí)，DB HiTek便將氮化鎵與碳化硅確立為核心增長引擎，持續(xù)加大工藝研發(fā)投入。公司發(fā)言人表示："DB HiTek憑借開發(fā)全球首款0.18微米BCDMOS工藝等成就，已在硅基功率半導(dǎo)體領(lǐng)域獲得國際認(rèn)可。通過新增氮化鎵工藝能力，我們將以更廣泛的技術(shù)組合增強(qiáng)市場競爭力。"

完成650V氮化鎵HEMT工藝開發(fā)后，DB HiTek計(jì)劃在2026年底前推出200V氮化鎵工藝及針對集成電路優(yōu)化的650V氮化鎵工藝。未來公司還將根據(jù)市場需求和客戶要求，將氮化鎵平臺(tái)拓展至更廣泛的電壓范圍。

為支持這些舉措，DB HiTek正在擴(kuò)建位于韓國忠清北道的Fab2潔凈室設(shè)施。此次擴(kuò)建預(yù)計(jì)每月新增約3.5萬片8英寸晶圓產(chǎn)能，支持氮化鎵、BCDMOS和碳化硅工藝的生產(chǎn)。擴(kuò)建完成后，DB HiTek的晶圓月總產(chǎn)能將提升23%，從15.4萬片增至19萬片。

與此同時(shí)，DB HiTek將參加于9月15日至18日在釜山BEXCO舉行的2025年國際碳化硅及相關(guān)材料會(huì)議(The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials，簡稱"ICSCRM")。在此次全球行業(yè)論壇上，DB HiTek將重點(diǎn)展示碳化硅工藝開發(fā)進(jìn)展，同時(shí)展示其氮化鎵和BCDMOS技術(shù)，與客戶及行業(yè)領(lǐng)袖開展深度交流。

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