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SK keyfoundry推出新型多層厚金屬間電介質(zhì)工藝

2025-09-23 08:34    來(lái)源: 云財(cái)經(jīng)    影響力評(píng)估指數(shù):21.34  
云財(cái)經(jīng)訊,9月23日,韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布推出具備高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質(zhì)(Thick IMD)電容工藝。新型多層厚金屬間電介質(zhì)工藝支持堆疊最多三層IMD,每層最大厚度達(dá)6微米。該工藝預(yù)計(jì)將用于制造數(shù)字隔離用電容器,以及電子電路中抑制電容耦合的電容器。