日本厚木2025年9月29日 /美通社/ -- 截止到2025年3月31日為止，株式會社半導(dǎo)體能源研究所(SEL)山崎舜平博士在半導(dǎo)體器件、顯示器及模擬AI等領(lǐng)域共獲得20,120件專利，刷新了其自身保持的吉尼斯世界紀(jì)錄(TM)"作為發(fā)明人擁有的最多專利"稱號。這一成就超過了他之前的紀(jì)錄，2004年3,245件專利、2011年6,314件專利、2016年11,353件專利。

照片：

https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M104105/202509195500/_prw_PI1fl_CUnR65l4.jpg

該紀(jì)錄于2025年7月9日由六位知識產(chǎn)權(quán)專家證明。山崎博士于2025年9月17日收到來自吉尼斯世界紀(jì)錄認(rèn)證官的紀(jì)錄證書。該紀(jì)錄包括1969年至2025年3月31日期間在日本、美國、韓國、中國和德國等國家獲得的專利。大名鼎鼎的"發(fā)明王"托馬斯?愛迪生(美國，1847-1931)一生共獲得2,332件專利，山崎博士已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了這一數(shù)字。

山崎舜平博士表示："該兩萬余件專利是近60年的研究成果。以該紀(jì)錄為動力，我們將繼續(xù)推動有助于防止全球變暖的超低功耗LSI及模擬AI等技術(shù)的發(fā)展。"

山崎舜平博士簡介

工學(xué)博士，株式會社半導(dǎo)體能源研究所(SEL)董事長兼首席執(zhí)行官

山崎舜平博士出生于1942年。1970年，他發(fā)明了被稱為"閃存"的非易失性存儲器的基本器件(41件專利，包括日本專利第886343號(日本已審專利申請公開第50-36955號)、美國專利第3,878,549號等基本發(fā)明)。1980年，他創(chuàng)立了SEL，并擔(dān)任代表董事。1997年，因在MOS LSI元件技術(shù)方面的創(chuàng)新，被日本政府內(nèi)閣府授予紫綬褒章。他發(fā)表了一種具有yA/微米(10的-24次方A/微米)量級的極低關(guān)斷電流的氧化物半導(dǎo)體FET*1和*2。

他是IEEE終身會士，瑞典皇家工程科學(xué)院(IVA)外籍院士，世界陶瓷科學(xué)院(WAC)院士和電化學(xué)學(xué)會(ECS)會士。他獲得了同志社大學(xué)的名譽(yù)文化博士學(xué)位。同時，他也是同志社社友，該稱號授予對同志社做出杰出貢獻(xiàn)的人。

【免責(zé)聲明】本文僅代表作者個人觀點(diǎn)，與云財經(jīng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，云財經(jīng)對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。