新竹2025年12月17日 /美通社/ -- 全球客制化存儲芯片解決方案設計公司愛普科技今日宣布，S-SiCap^TM(Stack Silicon Capacitor)產(chǎn)品線持續(xù)深化技術布局，聚焦AI服務器與高性能計算(HPC)的整合挑戰(zhàn)。S-SiCap^TM產(chǎn)品線涵蓋分離式硅電容(Discrete Devices)與硅電容中介層IPC(InterPoser with silicon Capacitor)兩大類型，對應不同系統(tǒng)架構與應用情境，滿足多元設計需求。

愛普科技的分離式硅電容S-SiCap^TM Gen4電容值密度已提升至 3.8 μF/mm²，較前一代Gen3再增逾50%。為滿足高性能計算與AI服務器對高性能與功率的需求趨勢，Gen4亦率先導入嵌入式基板(Embedded Substrate)封裝，目前已送樣進行制程驗證，量產(chǎn)導入時程將自2026年起逐步展開。

另一方面，硅電容中介層S-SiCap^TM Interposer采用硅晶圓作為中介層基板，內建高電容密度的硅電容，顯著強化裸晶對裸晶(Die-to-Die)、序列器／解序列器(SerDes)及高帶寬內存(HBM)等高速I/O應用的信號與電源穩(wěn)定性。愛普并攜手供應鏈合作，導入接合曝光技術(reticle-stitching technology)，擴展中介層裸晶面積，進而承載更多Chiplet IC，滿足先進封裝對更高整合度的需求。目前S-SiCap^TM Interposer已完成客戶端的封裝與可靠度驗證，并于第三季末正式進入四個reticle的量產(chǎn)階段，新項目亦陸續(xù)展開。

愛普科技總經(jīng)理洪志勛表示，隨著AI與高性能計算應用快速成長，市場對電源完整性與高速信號傳輸?shù)囊笕找鎳揽痢燮胀高^S-SiCap^TM產(chǎn)品線，將硅電容以分離式及中介層方式整合于各類先進封裝架構，兼具高效能、高整合度與設計彈性，滿足新世代AI與HPC系統(tǒng)的嚴苛需求。展望未來，愛普也正積極開發(fā)能應用在有機中介層(Organic Interposer)的硅電容產(chǎn)品，持續(xù)拓展產(chǎn)品版圖。

關于愛普科技股份有限公司

愛普科技股份有限公司(TWSE:6531)是無晶圓廠客制化存儲芯片設計和IP解決方案的半導體公司。產(chǎn)品包括：IoT存儲芯片產(chǎn)品(IoTRAM?)、AI存儲芯片解決方案(VHM?)、硅電容(S-SiCap?)。愛普科技擁有強大的研發(fā)能力，長期致力為移動通信、穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)、高端手機應用、高性能計算、邊緣計算等領域，提供高性能、低功耗的創(chuàng)新客制化芯片及解決方案，協(xié)助全球制造商打造更具競爭力的產(chǎn)品。

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